| 超快脈沖激光沉積技術(shù)

上海超導(dǎo)在多年研發(fā)和生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)的積淀下，形成一條基于脈沖激光沉積（PLD）鍍膜方法的超快速超導(dǎo)薄膜制備技術(shù)。該技術(shù)采用高溫原位應(yīng)力控制和多元成分協(xié)同優(yōu)化等獨(dú)特的工藝創(chuàng)新，突破了傳統(tǒng)脈沖激光沉積技術(shù)鍍膜速度慢、樣本空間小等瓶頸，既實(shí)現(xiàn)了超快速成膜，又保留了PLD技術(shù)原有的鍍膜質(zhì)量高、超導(dǎo)臨界電流性能優(yōu)越等優(yōu)勢(shì)，解決了物理法生產(chǎn)效率低的難題，具有生產(chǎn)速度快、成品率高、成本低等特點(diǎn)，適用于大批量規(guī)模化工業(yè)生產(chǎn)。經(jīng)過(guò)上海超導(dǎo)多年批量化生產(chǎn)檢驗(yàn)，其高質(zhì)量高溫超導(dǎo)薄膜沉積速度達(dá)到了100nm/s，為同類技術(shù)的3倍以上。

| 超大離子源快速IBAD鍍膜技術(shù)

離子束輔助沉積（IBAD）技術(shù)是制備緩沖層的關(guān)鍵，緩沖層可為超導(dǎo)層的生長(zhǎng)提供立方織構(gòu)。上海超導(dǎo)根據(jù)多年研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，創(chuàng)新采用一種先進(jìn)的超大離子源快速IBAD鍍膜技術(shù)，在增加離子束密度的同時(shí)，可使其能量和密度更加均勻，將緩沖層的鍍膜效率提升3倍以上，為后續(xù)制備高性能、高穩(wěn)定性的超導(dǎo)層的基礎(chǔ)。

| 精密定制的金屬基帶技術(shù)

上海超導(dǎo)持續(xù)研發(fā)投入，始終堅(jiān)定不移的探索基帶國(guó)產(chǎn)化道路，成功開(kāi)發(fā)出緊密定制的金屬基帶技術(shù)，解決了產(chǎn)業(yè)鏈中材料供應(yīng)“卡脖子”難題。國(guó)產(chǎn)基帶具有可定制化、厚度精密可控、納米級(jí)平整等特點(diǎn)，適用于超薄、超硬等定制化參數(shù)需求。超薄基帶厚度為30μm，超硬基帶拉伸應(yīng)力超過(guò)700Mpa。

| 非接觸式低溫瞬冷連續(xù)封裝技術(shù)

超導(dǎo)帶材的連續(xù)封裝技術(shù)是保證超導(dǎo)帶材在實(shí)際應(yīng)用工況下的機(jī)械性能穩(wěn)定的關(guān)鍵工藝，也是超導(dǎo)帶材抗擊過(guò)流沖擊的關(guān)鍵指標(biāo)。上海超導(dǎo)形成了一套基于快速錫渣處理、非接觸式低溫瞬冷和被動(dòng)式自動(dòng)收料等關(guān)鍵工藝的連續(xù)封裝技術(shù)（包括紫銅、黃銅、不銹鋼等多種封裝材料），解決了不銹鋼封裝、環(huán)氧浸漬衰減、帶材過(guò)流燒斷、帶材開(kāi)裂等長(zhǎng)期困擾業(yè)界的難題，使得二代高溫超導(dǎo)帶材的電學(xué)力學(xué)性能有了大幅度的加強(qiáng)，能夠承受100ms工頻高達(dá)2400A沖擊電流、不發(fā)生電流退降，77K下拉伸應(yīng)力超過(guò)700MPa。

| 低溫強(qiáng)場(chǎng)高性能的磁通釘扎技術(shù)

上海超導(dǎo)經(jīng)過(guò)系統(tǒng)地研究及產(chǎn)業(yè)化改良，解決了在快速鍍膜過(guò)程中無(wú)法引入有效的釘扎中心的難題，有效抑制了磁場(chǎng)對(duì)電流衰減，大幅提升了產(chǎn)品低溫強(qiáng)場(chǎng)性能及產(chǎn)能，實(shí)現(xiàn)了帶材低溫強(qiáng)場(chǎng)特性達(dá)到1600A(4.2K,10T)的國(guó)際領(lǐng)先水平，為超導(dǎo)磁體技術(shù)、大科學(xué)裝置等應(yīng)用的建設(shè)奠定了重要的核心材料基礎(chǔ)，將推動(dòng)中國(guó)高溫超導(dǎo)戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)發(fā)展。